Toshiba выпустила новые транзисторы Superjunction, разработанные на основе DTMOS V

Компания Toshiba Electronics Europe объявляет о разработке технологического процесса производства полупроводниковых приборов Superjunction (SJ) с глубокой канавкой нового поколения для изготовления высокоэффективных МОП-транзисторов.

Устройства, изготовленные на основе нового технологического процесса DTMOS V, обеспечивают снижение уровня шума от электромагнитных помех и сопротивления в открытом состоянии (RDS(ON)) по сравнению с МОП-транзисторами на основе предыдущего технологического процесса DТMOS IV.

Как и предыдущая технология производства полупроводниковых приборов DTMOS IV, технология DTMOS V предусматривает один эпитаксиальный процесс с «травлением глубоких канавок» и последующим формированием эпитаксиального слоя p-типа. Процесс заполнения глубоких канавок позволяет сократить шаг между ячейками и снизить RDS(ON) по сравнению с более традиционными планарными технологическими процессами. Технологический процесс с глубокой канавкой компании Toshiba обеспечивает лучшее значение теплового коэффициента RDS(ON) по сравнению с традиционными МОП-транзисторами Superjunction на основе многостадийного эпитаксиального процесса.

Toshiba выпустила новые транзисторы Superjunction, разработанные на основе DTMOS V

Благодаря технологическому процессу DТMOS V компании Toshiba удалось добиться снижения RDS(ON) в транзисторе TK290P60Y в корпусе DPAK до 17% по сравнению с МОП-транзистором TK12P60W, обладающим минимальным значением RDS(ON) среди устройств на основе технологии DTMOS IV. Компании также удалось дополнительно оптимизировать соотношение эффективности переключения и шумов от электромагнитных помех.

Ξ  Ставки онлайн: почему смартфон удобнее, чем комп?

МОП-транзисторы на основе технологии DТMOS V позволят упростить конструкцию и повысить эффективность силовых преобразователей, в том числе импульсных источников питания, устройств компенсации реактивной мощности (PFC), светодиодных осветительных приборов и других устройств с преобразованием переменного тока в постоянный.

Первые МОП-транзисторы на основе технологического процесса пятого поколения будут иметь номинальное напряжение 600 и 650 В и будут выпускаться в корпусах DPAK (TO-252) и TO-220SIS (с «умной изоляцией»). Максимальные значения сопротивления в открытом состоянии будут составлять всего от 0,29 до 0,56 Ом. Источник

Поделитесь своим мнением
Для оформления сообщений Вы можете использовать следующие тэги:
<a href="" title=""> <abbr title=""> <acronym title=""> <b> <blockquote cite=""> <cite> <code> <del datetime=""> <em> <i> <q cite=""> <s> <strike> <strong>

#gadgetstyle © 2020 ·   Войти   · Тема сайта и техподдержка от GoodwinPress Наверх